一、氮化鎵是什么

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具有半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。

二、氮化鎵充電器優(yōu)點

簡單來說，氮化鎵號稱第三代半導體核心材料。相對硅而言，氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導電能力。簡而言之兩種材料在相同體積下，氮化鎵比硅的效率高出不少。如果氮化鎵替換現(xiàn)在所有電子設備，可能會讓電子產(chǎn)品的用電量再減少10%或者25%。

在許多電源管理產(chǎn)品中，氮化鎵是更強的存在。應用層面，采用氮化鎵做充電器的話能夠?qū)崿F(xiàn)更快充電更小體積。

打個比方說，采用氮化鎵材料做出來的充電頭，體積和蘋果5W差不多大的情況下，能實現(xiàn)更多的功率。蘋果的5W充電頭實現(xiàn)的充電效率相信大家都懂的，未來新的材料大規(guī)模應有后就有望改變這種情況。

氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。

對于用戶，最直接的好處就是能帶來更快的充電，但是體積卻不會因此而增大。因為GaN氮化鎵材料本身的特質(zhì)，因此充電器如果采用了GaN氮化鎵做材料，那么不僅可以實現(xiàn)體積小、重量輕；對于發(fā)熱量與效率轉(zhuǎn)化也有非常明顯的提高。很多產(chǎn)品一旦發(fā)熱效率就會明顯的下降，比如CPU、充電頭等。

三、氮化鎵充電器的缺點

氮化鎵充電器主要缺點是成本高。氮化鎵作為新型第三代化合物，合成環(huán)境要求很高，從制造工藝上講，氮化鎵沒有液態(tài)，不能使用單晶硅的傳統(tǒng)直拉法拉出單晶，純靠氣體反應合成，在氨氣流中超過1000度加熱金屬鎵半小時才能形成粉末狀氮化鎵，所以氮化鎵充電器的成本更高，對應市面上的氮化鎵充電器售價也比傳統(tǒng)充電器高出一大截。

隨著氮化鎵技術(shù)的普及應用，氮化鎵充電器成本可能會逐步降下來，之后的價格應該能回歸到百元內(nèi)。