一、mos管的vgs電壓是什么意思
Vgs是柵極相對(duì)于源極的電壓。
與NMOS一樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。
二、MOS管各項(xiàng)參數(shù)分別是什么含義
1、開(kāi)啟電壓VT
開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓，標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V，通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
3、漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS，ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿，有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。
4、柵源擊穿電壓BVGS
在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
5、低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)，gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)，一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)。
6、導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數(shù)，在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似，對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以?xún)?nèi)。
7、極間電容
三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS、柵漏電容CGD和漏源電容CDS，CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間。
8、低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的，由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化，噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB），這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小，低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小。
