1955年 - 1963年，在北京大學物理系學習。
1963年，從北京大學畢業(yè)，被分到山東大學任教。
1986年，在中國科學院上海冶金所被破格提升為研究員。
1983年，應邀赴美工作，先后被休斯頓大學、紐約市立大學、斯梯文理工學院聘為客座副教授、客座教授，從事凝聚態(tài)物理學理論研究。
1997年，當選為中國科學院院士。
1988年，被評為“國家有突出貢獻的中青年專家”。
1995年，榮獲全國“五一”勞動獎章。
1997年，當選為中國科學院院士。
2006年，榮獲“何梁何利科學與技術進步獎”。
20世紀60年代，與吳杭生教授一起提出超導膜的尺寸非局域效應，建立超導薄膜臨界磁場隨膜厚度變化的-3/2次方規(guī)律。
20世紀80年代初，對超導臨界溫度級數(shù)的收斂判據(jù)以及聲子譜高頻行為的效應提出獨創(chuàng)見解，得到同行公認。
20世紀80年代中期，與丁秦生教授合作，創(chuàng)立“雷-丁理論”。
20世紀90年代初，發(fā)展超晶格子帶輸運模型，建立在電場和磁場中任意能譜材料的熱載流子輸運方程。
1991年，提出窄能帶材料中電子輸運的布拉格散射模型，建立半導體超晶格微帶輸運的解析理論。
1994年，《半導體輸運理論》榮獲“中國科學院自然科學獎一等獎”。
1995年，提出用6個有效質(zhì)量系數(shù)和6個非拋物系數(shù)描述任意形狀的能帶系統(tǒng)在電場和磁場同時存在時的輸運性質(zhì)的方程，為研究復雜能帶材料在強電場下的半導體磁輸運提供一個簡便而系統(tǒng)的方法。
1995年，《半導體輸運的平衡方程理論》榮獲“國家自然科學獎二等獎”。
1998年，提出研究強太拉赫茲電磁場中半導體非線性電子輸運和光學性質(zhì)的新的平衡方程理論。
