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硅太陽能電池的分類 硅太陽能電池工作原理

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摘要:硅太陽能電池是以硅為基體材料的太陽能電池,按硅材料的結晶形態(tài),可分為單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池。硅太陽能電池和其他大多數(shù)硅電子器件相比,有其特殊的設計和材料要求。為了獲得高能量轉換效率,硅太陽能電池不僅需要幾乎理想的硅表面鈍化,而且體材料特性也必須具有均勻的高品質。下面就和小編一起了解一下硅太陽能電池分類及原理吧。

硅太陽能電池分類

一、按硅片厚度分

可分為晶體硅太陽能電池和薄膜硅太陽能電池。

二、按材料的結晶形態(tài)分

可分為單晶硅(c-Si)和多晶硅(p-Si)太陽能電池兩類;

薄膜硅太陽能電池分為非晶硅(a-Si)薄膜太陽能電池、微晶硅(c-Si)太陽能電池和多晶硅(p-Si)薄膜太陽能電池三種。

1、單晶硅太陽能電池

轉換效率最高,技術也最為成熟。在實驗室里最高的轉換效率為24.7%(理論最高光電轉化效率為25%),規(guī)模生產時的效率為18%(截至2011年)。在大規(guī)模應用和工業(yè)生產中仍占據(jù)主導地位,但由于單晶硅成本價格高,大幅度降低其成本很困難,為了節(jié)省硅材料,發(fā)展了多品硅薄膜和非晶硅薄膜作為單晶硅太陽能電池的替代產品。

2、多晶硅太陽能電池

一般采用低等級的半導體多晶硅,或者專門為太陽能電池使用而生產的鑄造多晶硅等材料。與單晶硅太陽能電池相比,多晶硅太陽能電池成本較低,而且轉換效率與單晶硅太陽能電池比較接近,它是太陽能電池的主要產品之一。多晶硅太陽能電池硅片制造成本低,組件效率高,規(guī)模生產時的效率已達18%左右。多晶硅太陽能電池占據(jù)主流,除取決于此類電池的優(yōu)異性能外,還在于其充足、廉價、無毒、無污染的硅原料來源,而近年來多晶硅成本的降低更將使多晶硅太陽能電池大行其道。

3、非晶硅薄膜太陽能電池

成本低重量輕,便于大規(guī)模生產,有極大的潛力。非晶態(tài)硅,其原子結構不像晶體硅那樣排列得有規(guī)則,而是一種不定形晶體結構的半導體。非晶硅屬于直接帶系材料,對陽光吸收系數(shù)高,只需要1μm厚的薄膜就可以吸收80%的陽光。非晶硅薄膜太陽能電池于1976年問世,南于硅原料不足和價格上漲,促進了高效使用硅的技術和非晶硅薄膜系太陽能電池的開發(fā)。非晶硅薄膜電池低廉的成本彌補了其在光電轉換效率上的不足。但是南于非晶硅缺陷較多,制備的太陽能電池效率偏低,且受制于其材料引發(fā)的光電效率衰退效應,穩(wěn)定性不高,直接影響了它的實際應用。

4、微晶硅(μc-Si)薄膜太陽能電池

同樣由于光電效率衰退效應致使其性能不穩(wěn)定。發(fā)展受到一定的限制。

5、多晶硅薄膜太陽能電池

是近年來太陽能電池研究的熱點。雖然多晶硅屬于間接帶隙材料,不是理想的薄膜太陽能電池材料,但是隨著陷光技術、鈍化技術以及載流子束縛技術的不斷發(fā)展,人們完全有可能制備出高效、廉價的多晶硅薄膜太陽能電池。

硅太陽能電池工作原理

太陽能電池發(fā)電的原理主要是半導體的光電效應,一般的半導體主要結構如下:硅材料是一種半導體材料,太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種半導體的光電效應。

當硅晶體中摻入其他的雜質,如硼(黑色或銀灰色固體,熔點為2 300℃,沸點為3 658℃,密度為2.349/cm3,硬度僅次于金剛石,在室溫下較穩(wěn)定,可與氮、碳、硅作用,高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應,形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高電導率和化學惰性的物質)、磷等,當摻入硼時,硼元素能夠俘獲電子,硅晶體中就會存在一個空穴,這個空穴因為沒有電子而變得很不穩(wěn)定,容易吸收電子而中和,它就成為空穴型半導體,稱為P型半導體(在半導體材料硅或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的P型半導體,摻入五價元素雜質可構成多余殼粒的N型半導體)。

同樣,摻入磷原子以后,因為磷原子有五個電子,所以就會有一個電子變得非?;钴S,形成電子型半導體,稱為N型半導體。P型半導體中含有較多的空穴,而N型半導體中含有較多的電子,這樣,當P型和N型半導體結合在一起時。在兩種半導體的交界面區(qū)域里會形成一個特殊的薄層,界面的P型一側帶負電,N型一側帶正電,出現(xiàn)了濃度差。N區(qū)的電子會擴散到P區(qū),P區(qū)的空穴會擴散到N區(qū),一旦擴散就形成了一個由N指向P的“內電場”,從而阻止擴散進行。達到平衡后,就形成了這樣一個特殊的薄層形成電勢差,從而形成PN結。當晶片受光后,PN結中,N型半導體的空穴往P型區(qū)移動,而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動,從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結中形成電勢差,這就形成了電源。

由于半導體不是電的良導體,電子在通過PN結后如果在半導體中流動,電阻非常大,損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬,陽光就不能通過,電流就不能產生,因此一般用金屬網格覆蓋PN結,以增加入射光的面積。另外硅表面非常光亮,會反射掉大量的太陽光,不能被電池利用。

為此,科學家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護膜(減反射膜),實際工業(yè)生產基本都是用化學氣相沉積一層氮化硅膜,厚度在1000A左右。將反射損失減小到5%甚至更小?;蛘卟捎弥苽浣q面的方法,即用堿溶液(一般為NaOH溶液)對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。入射光在這種表面經過多次反射和折射,降低了光的反射,增加了光的吸收,提高了太陽電池的短路電流和轉換效率。一個電池所能提供的電流和電壓畢競有限,于是人們又將很多電池(通常是36個)并聯(lián)或串聯(lián)起來使用,形成太陽能光電板。

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